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100 V Sync Buck Controller

Thu, 21 Aug 2008 22:00:16 GMT

NCP1034 : 100 V Sync Buck Controller

安森美半导体扩充汽车应用的极低静态电流低压降稳压器系列

Thu, 21 Aug 2008 07:00:00 GMT

2008年8月21日 – 全球领先的高能效电源解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)为了满足需要极低熄火电流的汽车电子模块的应用需求，扩充低压降(LDO)线性稳压器产品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通过了AEC-Q100规范认证，且工作温度范围极宽，并且高度结合板载功能，典型静态电流(Iq)低至22 µA。

安森美半导体的这些新的极低Iq LDO可以连接电池，提供精确的3.3 V和5.0 V输出电压和高达 350 mA的输出电流，具有板载保护功能，并具有上电复位和延迟时间选择功能的器件。汽车系统电源模块在车辆熄火时需要满足严苛的电流消耗标准，安森美半导体的LDO非常适合这类应用，设计人员使用这些LDO将模块中稳压部分的Iq减至最小，便能分配更多的电流给更高端的设计元件，包括微处理器及控制器区域网络(CAN)和本地互连网络(LIN)网络元件。

新的NCV8660和NCV8665系列提供精确的3.3 V和5.0 V输出电压及150 mA的输出电流能力。这两款器件都提供上电复位和延迟时间选择功能，典型Iq 分别为28 µA和30 µA。此外，公司还推出新版本的NCV8664，这器件同样提供150 mA输出电流，典型Iq仅为22 µA，并能在不需要集成上电复位功能的设计中提供3.3 V或5.0 V的稳压输出。

对于需要高达350 mA输出电流的应用，新的NCV8674和NCV8675系列均提供3.3 V和5.0 V输出选项，典型Iq分别为27 µA和34 µA。NCV8675包括上电复位功能，可以选择复位延迟时间。

所有这些新器件工作时的输出电压精度为±2.0%，并结合了多种板载保护功能。NCV8664、NCV8665、NCV8674和NCV8675具备电池反向保护、短路保护和热过载保护等特性，而NCV8660提供内部短路保护和热关机保护。这些LDO能够承受直接电池连接所固有的输入电压瞬态，无需中间转换或保护器件; 而工作温度范围为-40℃至150℃，明显较市场上许多其它低Iq LDO 优胜。

价格和供货
NCV8660 LDO可选DPAK-5和SOIC-8封装，每2,500片批量的单价为1.24至1.38美元。NCV8664器件可提供SOT-223、DPAK-4和SOIC-8封装，每4,000片批量的单价为0.90至1.25美元。NCV8665采用D2PAK-5封装，每800片批量的单价为1.48美元。NCV8674和NCV8675分别采用D2PAK-3和D2PAK-5封装，每800片批量的单价分别为1.54美元和1.70美元。

更多信息请浏览安森美半导体网站www.onsemi.com.cn ，联系当地销售代表。

关于安森美半导体(ON Semiconductor)
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列，是电源、汽车、通信、计算机、消费产品、医疗、工业、手机和军事/航空等市场客户之首选高能效电源解决方案供应商。公司广泛的产品系列包括电源、模拟、数字信号处理器(DSP)、混合信号、先进逻辑、时钟管理和标准元器件。公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯，并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的业务网络。欲查询公司详情，请浏览安森美半导体网站：http://www.onsemi.com.cn。

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安森美半导体和安森美半导体图标是Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站，但此稿并不包含其网站中有关的信息。

Analog Switch DP3T for Full Speed USB and Other Data Switching

Wed, 20 Aug 2008 21:29:34 GMT

NLAS8252MUTAG : Analog Switch DP3T for Full Speed USB and Other Data Switching

安森美半导体扩大全球分销代理产品阵容

Wed, 20 Aug 2008 07:00:00 GMT

2008年8月20日 – 全球领先的高能效电源半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)宣布，因收购AMI半导体而得到的广泛专用标准产品(ASSP)系列，如今已透过全球认可分销代理商网络提供给客户，这些ASSP涵盖汽车、医疗和工业等应用，包括收发器、步进电机驱动器、数字信号处理器(DSP)系统、超低功耗(ULP)存储器、以太网供电(PoE)电源器件、驱动器、时钟和图像传感器等产品。

安森美半导体全球渠道销售副总裁Jeff Thomson说：“我们非常高兴纳入这些新产品，经我们的全球分销代理商渠道推出。我们的全球代理商网络合作伙伴优异，他们高度重视客户的满意度和客户覆盖。配以他们的丰厚资源，我们更能运筹帷幄，可适时适地把产品提供给有需要的客户。”

安森美半导体的全球分销代理商网络为前AMI半导体产品的全球客户开辟了重要的渠道，确保元件的供货，提供信用、元件备货和成套服务，以及物流支援和设计。安森美半导体的全部产品信息请看www.onsemi.com.cn。如欲联系当地代理商，请浏览www.onsemi.com.cn/sales。

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安森美半导体推出隔离型TO220封装的新8、12和16 A三端双向可控硅开关元件系列

Mon, 18 Aug 2008 07:00:00 GMT

2008年8月18日 – 全球领先的高能效电源半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充高性能三端双向可控硅开关元件(TRIAC)产品系列，推出12款新的TRIAC，提供8、12和16安培(A)的可用额定功率，具有35和50毫安(mA)的门触发电流(Igt)。这BTAxxx系列器件非常适合于讲究隔离电压、且安全是首要考虑的工业和控制应用。

安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说：“安森美半导体供应可控硅整流器(SCR)和TRIAC历史悠久，我们推出新的TRIAC BTAxxx系列，标志着安森美半导体进军晶闸管隔离封装市场。每位设计人员都面对着提升设计安全性和效率的压力。安森美半导体新的TRIAC和SCR对任何需要安全、高效交流(AC)电源开关操作的系统都至关重要，它们完全内置的隔离封装能提供极高的隔离电压，倍增安全，是我们继推出TRIAC BTBxxx系列之后的又一得力产品系列。”

BTAxxx系列及与其对等的非隔离型BTBxxx系列采用最新的硅片和封装设计，优化了裸片面积和封装构造，提升了器件性能，使安森美半导体能以有竞争力的价格推出高性能的器件。

安森美半导体的新new BTA08-600BW3G, BTA08-800BW3G, BTA12-600BW3G, BTA12-800BW3G, BTA16-600BW3G, BTA16-800BW3G, BTA08-600CW3G, BTA08-800CW3G, BTA12-600CW3G, BTA12-800CW3G, BTA16-600CW3G, 和BTA16-800CW3G TRIAC器件提供一流的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的极佳dV/dt性能和三象限操作。该产品线将不断扩充，即将推出产品将具备敏感门和四象限操作等特性。

关键特性：
• 高达800伏(V)的阻塞电压
• 额定通态电流达均方根(RMS) 16 A
• 对dV/dt具有高达2,000 V/us的高免疫性
• 适合标准及无缓冲器设计
• 逻辑电平
• 三象限和四象限的均衡门触发电流

封装和价格：
这些器件采用隔离型TO220封装。BTAxxx系列的8 A、12 A 和16 A版本每1,000片批量的预算单价分别为0.45、047和0.54美元。

更多信息请访问http://www.onsemi.com.cn 或联系麦满权(电邮：M.K.Mak@onsemi.com)。

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安森美半导体扩充分立器件封装系列，推出新微封装的晶体管和二极管

Tue, 12 Aug 2008 07:00:00 GMT

2008年8月12日 – 全球领先的高能效电源半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充分立器件封装系列，推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列，配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。

安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说：“对我们的便携产品客户来说，小尺寸、低高度且同时具备功率密度是相当关键的参数。安森美半导体提供用于电源管理、开关和保护应用的微封装二极管和晶体管，使便携产品能集成更多功能，而无须增加终端产品的尺寸或降低能效。”

新的微封装晶体管
安森美半导体现提供采用SOT-723、SOT-963和尺寸仅为1.0 mm x 0.6 mm x 0.37 mm 的SOT-1123封装的通用和偏置电阻晶体管(BRT)。这些更小尺寸、低高度的封装使设计工程师可在手机等应用中采用这些器件。这两种互补的微封装晶体管为无铅及无卤素器件。每8,000片批量的预算单价为0.06至0.08美元。

新的微封装二极管

低正向压降(Vf)肖特基二极管
安森美半导体扩充的SOD-923 NSR肖特基二极管系列，具有高达500毫安(mA)的更大电流能力和高达70伏(V)的更大反向阻断电压的器件。这些微封装肖特基二极管非常适用于相机闪光和模块驱动器、液晶显示器(LCD)升压转换器/或键盘背光以及空间受限型便携应用中的直流-直流(DC-DC)转换器应用。安森美半导体的肖特基二极管经过了高度优化，具有更低的正向压降和更低的泄漏电流，从而提供更高的能效和更低的损耗。这些肖特基二极管采用无铅、无卤素的SOD-923封装，每8,000片批量的预算单价为0.064美元。

新的齐纳二极管
安森美半导体领先业界的齐纳二极管产品系列中如今新增了NZ9F系列，这系列采用极小型SOD-923封装，尺寸仅为1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm。NZ9F系列的固定状态功率耗散仅为 200毫瓦(mW)，提供与SOD-323封装同等的功率处理能力，而占用的电路板空间仅相当于SOD-323封装的一小部分。这系列器件具有2.4 V至24 V的完整齐纳击穿电压范围及2%和5%的容限，在稳压和成本上为设计工程师提供最大的灵活性。这些齐纳二极管的典型应用包括电压参考、低电压稳压和电压钳位，每8,000片批量的预算单价为0.04美元。

更多信息请访问http://www.onsemi.com.cn 或联系麦满权(电邮：M.K.Mak@onsemi.com)。

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安森美半导体发布2008年第2季度业绩

Tue, 05 Aug 2008 07:00:00 GMT

2008年第2季度公司整体业绩摘要:
• 录得季度收入5.627亿美元
• 录得经调整EBITDA1.337亿美元
• 公认会计原则毛利率为34.1%
• 非公认会计原则毛利率为41.4%
• 公认会计原则每股全面摊薄净收入为0.11美元
• 非公认会计原则每股全面摊薄净收入为0.23美元
• 发布最终协议以全股份交易收购Catalyst Semiconductor, Inc.

2008年8月5日-安森美半导体公司（ON Semiconductor Corporation，美国纳斯达克上市代号：ONNN）今日(美国时间)宣布，2008年第2季度的总收入为5.627亿美元，比2008年第1季度增长约33%。2008年第2季度，公司录得公认会计原则净收入4,460万美元，或按全面摊薄基准计每股0.11美元。2008年第2季度公认会计原则净收入已计入特别项目扣除净额5,050万美元或按全面摊薄基准计每股0.12美元。附表阐述有关特别项目的详情。于2008年第1季，公司录得公认会计原则净收入2,080万美元，或按全面摊薄基准计每股0.07美元。

2008年第2季度的非公认会计原则净收入为9,510万美元，或按全面摊薄基准计每股0.23美元。2008年第1季度的非公认会计原则净收入为6,540万美元，或按全面摊薄基准计每股0.21美元。此等非公认会计原则的财务指标与公司根据美国公认会计原则编制的最直接可比指标的对账，已载于附表及本公司网站（www.onsemi.com.cn）。

以混合调整基础计算，2008年第2季度的平均售价比2008年第1季度下降约2%。公司第2季度的总体毛利率为34.1%，而第2季度的非公认会计原则总体毛利率为41.4%。第2季度公认会计原则毛利率已计入特别项目扣除净额约4,110万美元或730个基点。附表阐述有关特别项目的详情。按非公认会计原则的财务指标的非公认会计原则毛利率与公司根据美国公认会计原则编制的毛利率的对账已载于附表。

2008年第2季度经调整EBITDA 为1.337亿美元。 2008年第1季度经调整EBITDA 为9,720万美元。此非公认会计原则的财务指标与公司根据美国公认会计原则编制的净收入及来自经营活动的净现金的对帐已载于附表。

安森美半导体总裁兼首席执行官傑克信(Keith Jackson)说:“本人欣然宣布，公司于2008年第2季度的收入及经调整EBITDA均创下纪录。整合AMIS Holdings, Inc.以及来自Analog Devices的中央处理器电压及热监控产品部均取得正面进展，并使安森美半导体稳居模拟及电源管理领域的领导地位。于7月17日宣布的收购Catalyst Semiconductor, Inc.的最终协议预期将于2008年第4季度完成。所有我们近期完成及宣布的收购不断加强我们与市场领袖客户的关系及行业地位。我们认为，充分利用安森美半导体的国际级营运能力及供应链，相关收购将使安森美半导体能够持续为股东、客户及雇员增值。”

2008年第3季度展望
傑克信说：“根据我们的产品订货趋势、未交货的定单水平、制造服务收入及预计的周转水平，我们预期2008年第3季度的总收入将约为5.70亿至5.85亿美元。2008年第3季初的未交货定单水平较2008年第2季初有所上升，相当于我们预期2008年第3季收入的90%以上。我们预期2008年第3季的平均售价将连续地下降约2%。下表概要列出我们2008年第3季度公认会计原则及非公认会计原则展望。”

安森美半导体 2008 年第 3 季度业务展望
	公认会计原则	特别项目 *	非公认会计原则 ***
收入	5.70 亿至 5.85 亿美元		5.70 亿至 5.85 亿美元
毛利率	37.5% 至 38.5%	2,300 万美元	41.5% 至 42.5%
经营开支	1.50 亿至 1.56 亿美元	2,000 万美元	1.30 亿美元至 1.36 亿美元
其它开支	1,000 万美元		1,000 万美元
税项	300 至 400 万美元	100 至 200 万美元	200 万美元
全面摊薄股份 **	4.10 亿		4.10 亿

*特别项目包括：以股份为基础的补偿开支、重组、资产减值及其它，减，评估建立存货公平市值开支、无形资产摊销及所得税调整至现金税项约数。

**全面摊薄股份可因（其中包括）实际行使购股权或受限制股份、因公司全部可换股优先后偿票据而发行的递增具摊薄性股份以及回购或发行证券或销售库存股份而变化。请参阅公司网站上的列表，以了解全面摊薄股份的可能变动。

*** 规例G及证券法的其它条例规管未根据公认会计原则编制的财务指标的使用。我们认为，这些非公认会计原则指标为投资者提供了重要的补充资料。我们使用这些指标，连同公认会计原则指标用于内部管理目的及作为评估期间与期间比较的方法。然而，我们不会以及阁下不应当仅依赖非公认会计原则指标作为衡量我们业绩的指标。我们认为，非公认会计原则指标提供了审视我们业绩的另外一个视角－当与公认会计原则业绩合并起来及与相应公认会计原则指标（我们在新闻稿中亦将提供）进行对帐-能使阁下更加完整的理解影响我们业务的因素及趋势。由于非公认会计原则的财务指标并非标准化，即使他们的名称相似，惟无法将这些财务指标与其它公司的非公认会计原则财务指标比较。故此应投资者及研究人士的要求，我们拟于相关期间的盈利发布中包括此非公认会计原则表格及指标。

财务报表

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This news release includes “forward-looking statements” as that term is defined in Section 27A of the Securities Act of 1933 and Section 21E of the Securities Exchange Act of 1934. All statements other than statements of historical fact are statements that could be deemed forward-looking statements and are often characterized by the use of words such as “believes,” “expects,” “estimates,” “projects,” “may,” “will,” “intends,” “plans,” or “anticipates,” or by discussions of strategy, plans or intentions. In this news release, forward-looking information relates mainly to the second quarter of 2008 and its bookings trends, backlog levels, estimated turns levels, anticipated revenues, gross margins and average selling prices, stock based compensation expense and similar matters. These forward-looking statements also include statements related to the benefits of the proposed transaction between ON Semiconductor Corporation (“ON”) and Catalyst Semiconductor, Inc. (“Catalyst Semiconductor”) and the future financial performance of ON. All forward-looking statements in this news release are based on management's current expectations and estimates, and involve risks, uncertainties and other factors that could cause results to differ materially from those expressed in forward-looking statements. Among these factors are revenues and operating performance; changes in overall economic conditions; the cyclical nature of the semiconductor industry; changes in demand for our products; changes in inventories at our customers and distributors; technological and product development risks; availability of raw materials; competitors' actions; pricing and gross margin pressures; loss of key customers; order cancellations or reduced bookings; changes in manufacturing yields; control of costs and expenses; significant litigation; risks associated with acquisitions and dispositions and the integration efforts related thereto; risks associated with our substantial leverage and restrictive covenants in our debt agreements; risks associated with our international operations; the threat or occurrence of international armed conflict and terrorist activities both in the United States and internationally; risks and costs associated with the regulation of corporate governance and disclosure standards (including pursuant to Section 404 of the Sarbanes-Oxley Act of 2002); risks involving environmental or other governmental regulation; difficulties encountered in integrating merged businesses; the risk that ON’s acquisition of Catalyst Semiconductor does not close, including the risk that the requisite stockholder and regulatory approvals may not be obtained; the variable demand and the aggressive pricing environment for semiconductor products; dependence on the ability to successfully manufacture current products in increasing volumes on a cost-effective basis and with acceptable quality; and the adverse impact of competitive product announcements. Information concerning additional factors that could cause results to differ materially from those projected in the forward-looking statements is contained in ON’s Annual Report on Form 10-K as filed with the Securities and Exchange Commission (the “SEC”) on February 12, 2008, Quarterly Reports on Form 10-Q, Current Reports on Form 8-K and other of ON’s SEC filings, and Catalyst Semiconductor’s Annual Report on Form 10-K as filed with the SEC on July 3, 2008, Quarterly Reports on Form 10-Q, Current Reports on Form 8-K and other of Catalyst Semiconductor SEC filings. Readers are cautioned not to place undue reliance on forward-looking statements. We assume no obligation to update such information.

This communication is being made in respect of the proposed transaction involving ON and Catalyst Semiconductor. In connection with the proposed transaction, ON plans to file with the SEC a Registration Statement on Form S-4 containing a Proxy Statement of Catalyst Semiconductor and a Prospectus of ON, and each of ON and Catalyst Semiconductor plan to file with the SEC other documents regarding the proposed transaction. The definitive Proxy Statement/Prospectus will be mailed to stockholders of Catalyst Semiconductor. INVESTORS AND SECURITY HOLDERS ARE URGED TO READ THE PROXY STATEMENT/PROSPECTUS AND OTHER DOCUMENTS FILED WITH THE SEC CAREFULLY IN THEIR ENTIRETY WHEN THEY BECOME AVAILABLE BECAUSE THEY WILL CONTAIN IMPORTANT INFORMATION ABOUT THE PROPOSED TRANSACTION. Investors and security holders will be able to obtain free copies of the Registration Statement and the Proxy Statement/Prospectus (when available) and other documents filed with the SEC by ON and Catalyst Semiconductor through the web site maintained by the SEC at www.sec.gov. In addition, investors and security holders will be able to obtain free copies of the Registration Statement and the Proxy Statement/Prospectus (when available) and other documents filed with the SEC from ON by directing a request to ON Semiconductor Corporation, 5005 East McDowell Road, Phoenix, AZ, 85008, Attention: Investor Relations (telephone: (602) 244-3437) or going to ON’s corporate website at www.onsemi.com, or from Catalyst Semiconductor by directing a request to Catalyst Semiconductor, Inc., 2975 Stender Way, Santa Clara, CA 95054, Attention: Investor Relations (telephone: (408) 542-1000) or going to Catalyst Semiconductor’s corporate website at www.catsemi.com. ON and Catalyst Semiconductor and their respective directors and executive officers may be deemed to be participants in the solicitation of proxies in respect of the proposed transaction. Information regarding ON’s directors and executive officers is contained in ON’s Annual Report on Form 10-K filed with the SEC on February 12, 2008, ON’s annual proxy statement filed with the SEC on April 4, 2008, and a Current Report on Form 8-K filed by ON with the SEC on March 17, 2008. Information regarding Catalyst Semiconductor’s directors and executive officers is contained in Catalyst Semiconductor’s annual proxy statement filed with the SEC on August 24, 2007. Additional information regarding the interests of such potential participants will be included in the Proxy Statement/Prospectus and the other relevant documents filed with the SEC (when available).

3.3 V PureEdge™ PLL时钟振荡器模块

Tue, 22 Jul 2008 07:11:45 GMT

NBXDBA012 NBXDBA014 NBXDBA015 NBXDBA017 NBXDBA018 NBXDBA019 NBXDDA016 NBXSBA010 NBXSBA020 NBXSBA021 : 3.3 V PureEdge™ PLL时钟振荡器模块

3.3 V LVPECL PureEdge基于锁相环( PLL)的晶体振荡器模块，产生可供用户选择的单个或两个介于62.5至312.5 MHz之间的输出频率
所有器件都提供LVPECL差分输出，具有超低抖动和相位噪声；相比昂贵的SAW或第三个谐波晶体振荡器
采用业界标准的5.0 x 7.0 mm CLCC-6模块封装，为当前昂贵的解决方案提供灵活的替代选择

5.0 V低电容ESD保护二极管

Tue, 22 Jul 2008 07:09:06 GMT

ESD7L5.0DT5G : 5.0 V低电容ESD保护二极管

为USB2.0高速版和天线线路等高频信号线路而设计；保护两条单向线路(每条0.5 pF典型电容)或1条双向线路(0.25 pF典型电容)
低钳位电压、低泄漏、快速响应；超越IEC61000-4-2 level 4标准；人体模型(HBM)下承受三级(> 16 kV)ESD额定电压
超小型1.2 x 1.2 x 0.5 mm SOT723封装适合手机、相机、MP3播放器和其它便携应用

4线超低电容ESD保护阵列

Tue, 22 Jul 2008 07:06:42 GMT

NUP4212 : 4线超低电容ESD保护阵列

一流的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应，保护高频设计免受ESD和瞬态电压危险影响
共阳极设计保护多达4路独立数据线路加上1条或2条15 V TVS线路；可配置为双端口USB 2.0高速版器件
低高度的UDFN-6封装适合空间受限的便携应用

200 mA、超低噪声、高电源抑制比BiCMOS射频低压降稳压器

Tue, 22 Jul 2008 07:04:26 GMT

NCV8570 : 200 mA、超低噪声、高电源抑制比BiCMOS射频低压降稳压器

提供非常稳定、精确的电压，具有超低噪声和极高电源抑制比(PSRR)，适合汽车射频应用
先进的BiCMOS工艺实现低噪声、优异动态性能和极低接地电流消耗
采用小型低量值电容时非常稳定；采用极小的2.0 x 2.2 mm DFN-6封装

高能效单段式功率因数校正和降压控制器

Tue, 22 Jul 2008 07:01:51 GMT

NCP1652 : 高能效单段式功率因数校正和降压控制器

单段式PFC，带有集成的软跳周期、高压启动、电压前馈、输入欠压检测、过流保护和过压保护等特性，用于简单、低成本的PFC解决方案
整合了次级驱动信号，具有可编程滞后时间，可控制同步整流或有源钳位，提升系统总能效
非常适合功率范围在75至150 W的笔记本适配器、电池充电器和其它离线应用

安森美半导体以全股票交易收购Catalyst半导体

Fri, 18 Jul 2008 07:00:00 GMT

2008年7月18日 – 安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)和Catalyst半导体(美国纳斯达克上市代号：CATS) 宣布，已签订安森美半导体收购Catalyst半导体的正式合并协议，交易将全部以股票支付，Catalyst股东每持有1股普通股将获得0.706股安森美半导体普通股。此项交易的股票价值约为1.15亿美元，企业价值约为0.85亿美元。

安森美半导体总裁兼首席执行官(CEO)傑克信(Keith Jackson)说：“收购Catalyst半导体将扩大我们的高毛利模拟和混合信号产品的阵容，应用于数字消费和无线终端市场。Catalyst半导体的模拟和混合信号业务在截至2008年4月财政年度末的季度销售额超过1,100万美元，较上一财政年度增长超过90%。Catalyst半导体的电可擦除编程只读存储器(EEPROM)技术将添增我们在定制专用集成电路(ASIC)和电源产品实力，如虎添翼，使我们更全面地满足客户需求。这配以安森美半导体的全球业务网络、高效的分销渠道和顶级的客户关系，我们相信可把Catalyst的整体产品系列作更宽广、更深入的市场渗透，从而帮助我们加速收入增长及增加市场份额。我们也相信，结合安森美半导体的制造能力，Catalyst半导体的强大产品系列将有更多的收入。我们期待着Catalyst半导体CEO Gelu Voicu以及Catalyst富有才干的雇员加盟安森美半导体。”

爱尔兰副总理和安森美半导体宣布在Limerick设立新的研发中心

Tue, 15 Jul 2008 07:00:00 GMT

2008年7月15日 – 爱尔兰副总理兼企业贸易与职业部部长Mary Coughlan TD和总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯的高性能高能效硅解决方案领先供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)宣布，在爱尔兰工业发展局(IDA Ireland)的支持下，安森美半导体于爱尔兰Limerick的Raheen Business Park设立新的研发中心。这研发中心将为半导体设计师和工程师创造49个职位。

安森美半导体在全球设计、制造和营销电源和数据管理半导体及标准半导体元器件。位于Limerick的新研发中心将成为该公司下一代处理器数字电源管理和热管理的专业技术中心。这中心将开发用于服务器、游戏机、台式和笔记本电脑下一代处理器的控制器和驱动器集成电路。在满员情况下，中心将聘用49名雇员，现在28名已上任。

爱尔兰副总理Mary Coughlan TD在新中心的开幕典礼上说：“这项投资为安森美半导体提升产品复杂度和价值，相信这会标志着更进一步的技术创新。选择在Limerick进行这项投资，认可了爱尔兰成功推行这类技术先进研发项目的能力，也能满足安森美半导体对高才干研发半导体设计师和工程师招聘的要求。它也是对现有Limerick团队投下的信心一票，尤其是打赢了安森美半导体全球其它据点而取得这项目。这项投资将有力地推动爱尔兰中西部发展成为IC设计公司产业的聚群。”

安森美半导体计算机产品部高级副总裁兼总经理宋世荣(Bill Schromm)说：“安森美半导体迄今的成就基于我们具有竞争力的成本制造和供应高质量、大量独特产品的能力。这项投资将使安森美半导体拓展全球市场份额，并在挑战日增、不断变化的产业运营环境中脱颖而出。我们相信，选择Limerick团队进行这项投资的决定是对的，因为该团队迄今运营成功，加上爱尔兰的能办得到、灵活和重商的环境，非常适合我们拓展业务。”

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200 mW齐纳稳压器系列

Sun, 29 Jun 2008 11:18:29 GMT

NZ9F2V4 NZ9F2V4S NZ9F5V1 NZ9F5V1S NZ9F24V : 200 mW齐纳稳压器系列

47款器件备有2.4 V至24 V的击穿电压
提供±5.0%容限； S版本为±2.0%容限
1.0 x 0.6 x 0.4 mm SOD923封装非常适合手机和其它空间受限应用

用于连续导电模式升压预转换器的功率因数控制器

Sun, 29 Jun 2008 11:16:06 GMT

NCP1654 : 用于连续导电模式升压预转换器的功率因数控制器

在成功的NCP1653基础上进一步提升性能，与业界标准器件引脚对引脚兼容
集成包括输入欠压保护在内的众多保护特性，而只需采用少数的外部元件，便可实现更加强健的设计
快速瞬态响应功能避免过冲或欠冲，确保精确及可靠的操作

安森美半导体以获奖的超低电容技术扩充ESD保护产品系列

Mon, 23 Jun 2008 07:00:00 GMT

2008年6月23日 – 全球领先的电源管理和电路保护半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列，推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。

ESD7L5.0D 采用极小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封装，保护每条线路0.5皮法(pF)电容的两条高速数据线路。将安森美半导体的低电容技术集成至3引脚封装为设计人员提供以单个器件保护USB2.0端口D+和D-线路的解决方案。ESD7L5.0D也能够连接阴极至阴极，保护0.25 pF电容的一条双向线路，非常适用于保护高频射频(RF)天线线路。

NUP4212采用小巧的1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6封装，保护每条线路0.7 pF的4条高速数据线路和2条Vcc电源线路。使设计人员能够采用单个集成器件保护两个USB端口上的D+和D-线路及Vcc线路。

这两款新器件的主要特点，都来自安森美半导体傲视同侪的专有技术。ESD7L5.0D和NUP4212能够将15千伏(kV)的输入ESD波形在数纳秒(ns)内钳位至低于7伏(V)，确保当今的对ESD敏感的集成电路(IC)具有最高水平的保护。诸如聚合物和陶瓷压敏电阻等其它低电容片外ESD保护技术也提供低电容，但它们的ESD钳位电压远高于安森美半导体的解决方案。此外，安森美半导体这些硅器件没有无源技术的磨损问题，在经受ESD等多次浪涌事件后可靠性和性能都不会受到影响。

安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说：“安森美半导体推出针对高速数据应用的超低电容产品，持续扩大我们在高性能ESD保护解决方案的领先地位。下一代便携应用需要在越来越高的数据率下具有更高的性能和更大的设计灵活性。安森美半导体不断配合这个趋势，推出完整的低电容ESD保护解决方案系列。”

采用这个技术平台的首款产品ESD9L5.0S以技术、应用和设计创新方面的巨大进步而荣获美国《Electronic Products》杂志以及中国《今日电子》杂志各颁发2007“年度产品”奖。

ESD7L5.0DT5G采用SOT-723封装，每8,000片的批量单价为0.20美元。NUP4212采用UDFN-6封装，每3,000片的批量单价为0.608美元。

更多技术信息请访问安森美半导体电路保护网站http://www.onsemi.com.cn/circuitprotection或联系麦满权(电邮：M.K.Mak@onsemi.com)。

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Celestica表彰安森美半导体授予2007 TCOOTM供应商奖

Wed, 18 Jun 2008 07:00:00 GMT

2008年6月18日 – 安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)宣布获得全球领先的端到端产品生命周期解决方案供应商Celestica颁发2007 Total Cost of Ownership (TCOOTM)供应商奖。这奖项表彰供应商配合Celestica总体供应链目标——为客户降低总体拥有成本并给他们提供克服任何挑战所需的灵活性。

安森美半导体全球渠道销售副总裁Jeff Thomson说：“安森美半导体获得Celestica的表彰感到骄傲及荣幸。倾听我们客户的声音并致力集中在满足客户的需求，这是我们与Celestica成功合作关系的核心。迅捷参与Celestica的LiveShare项目、成功将我们的大多数器件应用在Celestica的Ring项目、持续稳定地提供卓越的库存管理项目以及积极协同在多个方面取得积极改进，安森美半导体有效地展示了我们的执行能力。保持灵活及不断提供高质量和一贯的准时交货，我们已能积极地工作，满足Celestica的供应需求。”

这是Celestica 第二年举办TCCO供应商奖项目，标志着安森美半导体连续第二年获此殊荣。这项目配合Celestica专注于更接近供应商以缩短交货期的“Ring”策略，也配合该公司协助客户以最低总成本快速地将高质量产品推向市场的TCCO供应链策略。Celestica的TCCO系统设计用于计算生产、交付和支援产品及服务在供应商发票价格之外的真正成本。所以它着重于供应商在质量、交货、技术、服务、价格和灵活性等方面的表现。

Celestica首席采购官兼供应链管理解决方案执行副总裁John Boucher说：“恭贺安森美半导体获得2007 TCOO™供应商奖。我衷心感谢安森美半导体配合我们的供应链策略，帮助我们加快供应链中的速度和反应。”

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安森美半导体在华成立第七家联合电源实验室

Fri, 23 May 2008 07:00:00 GMT

中国厦门 – 2008年5月23日 – 全球领先的高能效电源解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)今天宣布与厦华电子和万利达合作，在福建省厦门市成立联合电源实验室。这是安森美半导体在中国成立的第七家联合电源实验室。此前，安森美半导体已与海信、海尔、长虹和创维等中国的领先企业合作成功建立了六家实验室。

在厦门最新成立的实验室为厦华和万利达的工程师构建重要的平台，使他们可与安森美半导体的常驻应用工程师进行合作，来共同为包括液晶电视在内的消费电子应用开发新的电源解决方案。

安森美半导体亚太区销售副总裁周永康说：“成立联合电源实验室是我们发展战略的一部分，以加强与中国领先厂商的合作伙伴关系，并帮助这些企业开发用于下一代产品的电源解决方案。该实验室将结合安森美半导体在提供创新和节能电源解决方案方面的全球专长、资源和经验。”

周永康进一步表示：“这家实验室的成立使厦华和万利达的工程师可与安森美半导体的应用工程师进行紧密合作，推动创新且高效电源解决方案的开发。我们广受认可的电源解决方案将帮助这两家公司优化其产品的电源能效，减少待机能耗，满足国内外消费者对高性能和低功耗产品的需求。”

关于万利达
万利达集团有限公司创立于1984年，是以研发、制造及销售电子信息产品为主的高新技术企业。公司在南靖、漳州和深圳拥有三个生产基地，产品范围广阔，包括数码影音、新能源和医疗电子等。

关于厦华
厦华电子公司创立于1985年，生产多种高质量电子产品，包括电视机、LCD监视器、传真机、机顶盒以及其他通信类产品和电子类原件。该公司的产品出口到100多个国家和地区。

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安森美半导体发布2008年第1季度业绩

Mon, 12 May 2008 07:00:00 GMT

2008年第1季度公司整体摘要:
• 2008年3月17日完成收购AMIS Holdings, Inc.
• 收购增加了2008年第1季度非公认会计原则每股全面摊薄净收入
• 偿还AMIS Holdings的2.77亿美元优先银行融资
• 总收入为4.219亿美元
• 公认会计原则毛利率为34.7%
• 非公认会计原则毛利率为37.6%
• 公认会计原则每股全面摊薄净收入为0.07美元
• 非公认会计原则每股全面摊薄净收入为0.21美元
• 现金及现金等值3.079亿美元

2008年第1季度安森美半导体独立摘要:
• 总收入为3.964亿美元
• 公认会计原则毛利率为35.7%
• 非公认会计原则毛利率为37.0%
• 公认会计原则每股全面摊薄净收入为0.14美元
• 非公认会计原则每股全面摊薄净收入为0.20美元

2008年5月6日-安森美半导体公司（ON Semiconductor Corporation，美国纳斯达克上市代号：ONNN）美国时间宣布，2008年第1季度的总收入为4.219亿美元，比2007年第4季度增长约3%。2008年第1季度，公司录得公认会计原则净收入2,080万美元，或按全面摊薄基准计每股0.07美元。2008年第1季度公认会计原则净收入已计入特别项目扣除净额4,460万美元或按全面摊薄基准计每股0.14美元。附表阐述有关特别项目的详情。于2007年第4季，公司录得公认会计原则净收入6,110万美元，或按全面摊薄基准计每股0.20美元。

2008年第1季度的非公认会计原则净收入为6,540万美元，或按全面摊薄基准计每股0.21美元。2007年第4季度的非公认会计原则净收入为6,870万美元，或按全面摊薄基准计每股0.23美元。此等非公认会计原则的财务指标与公司根据美国公认会计原则编制的最直接可比指标的对账，已载于附表及本公司网站（www.onsemi.com.cn）。

以混合调整基础计算，2008年第1季度的平均售价比2007年第4季度下降少于2%。公司第1季度的总体毛利率为34.7%，而第1季度的非公认会计原则总体毛利率为37.6%。第1季度公认会计原则毛利率已计入特别项目扣除净额约1,190万美元或290个基点。附表阐述有关特别项目的详情。按非公认会计原则的财务指标的非公认会计原则毛利率与公司根据美国公认会计原则编制的毛利率的对账已载于附表。

2008年第1季度经调整EBITDA 为9,720万美元。 2007年第4季度经调整EBITDA 为1.021亿美元。此非公认会计原则的财务指标与公司根据美国公认会计原则编制的净收入及来自营运

的净现金的对帐已载于附表。

撇除于2008年3月17日完成收购AMIS Holdings, Inc.的影响，安森美半导体2008年第1季度的独立收入约为3.964亿美元，比2007年第4季度下降约3%。2008年第1季度，安森美半导体亦录得独立公认会计原则净收入4,010万美元，或按全面摊薄基准计每股0.14美元。2008年第1季度的独立公认会计原则净收入已计入约1,910万美元，或按全面摊薄基准计每股0.06美元的特别项目。附表阐述有关特别项目的详情。

撇除收购的影响，安森美半导体公司2008年第1季度的独立毛利率约为35.7%。第1季度的独立非公认会计原则毛利率为37.0%。安森美半导体第1季度独立公认会计原则毛利率已计入特别项目扣除净额约510万美元或130个基点。附表阐述有关特别项目的详情。按独立基准计，2008年第1季的毛利率受到与弱美元相关的制造成本增加以及与2007年第4季度比较直接材料成本增加的影响。

2008年第1季度的独立非公认会计原则净收入为5,920万美元，或按全面摊薄基准计每股0.20美元。2007年第4季度的非公认会计原则净收入为6,870万美元，或按全面摊薄基准计每股0.23美元。此等非公认会计原则的财务指标与公司根据美国公认会计原则编制的最直接可比指标的对账，已载于附表及本公司网站（www.onsemi.com.cn）。

安森美半导体总裁兼首席执行官傑克信(Keith Jackson)说:“安森美半导体于2008年第1季度继续积极精益求精。我们于12月底完成了向Analog Devices收购中央处理器电压及PC热监控产品部，提升了我们整体的计算机电源管理专知。于第1季度我们完成公司历史上最大的收购－完成收购AMIS Holdings, Inc.。该两项交易极大地增强了我们的实力，进一步满足客户最富挑战性的电源管理要求，使安森美半导体稳居模拟及电源管理领域的领导地位。”

2008年第2季度展望
傑克信说：“根据我们的产品订货趋势、未交货的定单水平、预期的制造服务收入相应下降约800万美元及预计的周转水平，我们预期2008年第2季度的总收入将约为5.45亿至5.60亿美元。总收入的指引已计入我们预期安森美半导体独立产品收入将连续地增长约2%至6%以及与完成收购AMIS Holdings, Inc.有关的约1.5亿美元收入。2008年第2季初的未交货定单水平较2008年第1季初有所上升，相当于我们预期2008年第2季收入的85%以上。我们预期2008年第2季的平均售价将连续地下降约2%。下列概要列出我们2008年第2季度公认会计原则及非公认会计原则展望。 ”

安森美半导体 2008 年第 2 季度业务展望
	公认会计原则	特别项目 *	非公认会计原则 ***
收入	5.45 亿至 5.60 亿美元		5.45 亿至 5.60 亿美元
毛利率	32% 至 34%	4,200 万至 4,400 万美元
经营开支	1.36 亿至 1.41 亿美元	1,200 万至 1,300 万美元	1.24 亿美元至 1.28 亿美元
其他收入 / 开支	1,000 万至 1,200 万美元		1,000 万至 1,200 万美元
税项	400 万美元		400 万美元
全面摊薄股份 **	4.10 亿		4.10 亿

*特别项目可包括：以股份为基础的补偿开支、重组、资产减值及其他，净，评估建立存货公平市值开支、无形资产摊销及所得税调整至现金税项约数。 **全面摊薄股份可因（其中包括）实际行使购股权或受限制股份、因公司全部可换股优先后偿票据而发行的递增具摊薄性股份以及回购或发行证券或销售库存股份而变化。请参阅公司网站上的列表，以了解全面摊薄股份的可能变动。 *** 规例G及证券法的其他条例规管未根据公认会计原则编制的财务指标的使用。我们认为，这些非公认会计原则指标为投资者提供了重要的补充资料。我们使用这些指标，连同公认会计原则指标用于内部管理目的及作为评估期间与期间比较的方法。然而，我们不会以及阁下不应当仅依赖非公认会计原则指标作为衡量我们业绩的指标。我们认为，非公认会计原则指标提供了审视我们业绩的另外一个角度－当与公认会计原则业绩合并起来及与相应公认会计原则指标（我们在新闻稿中亦将提供）进行对帐-能使阁下更加完整的理解影响我们业务的因素及趋势。由于非公认会计原则的财务指标并非标准化，即使他们的名称相似，惟无法将这些财务指标与其他公司的非公认会计原则财务指标比较。故此应投资者及研究人士的要求，我们拟于截至2008年底的盈利发布中包括此非公认会计原则表格及指标。

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This news release includes “forward-looking statements” as that term is defined in Section 27A of the Securities Act of 1933 and Section 21E of the Securities Exchange Act of 1934. All statements other than statements of historical fact are statements that could be deemed forward-looking statements and are often characterized by the use of words such as “believes,” “expects,” “estimates,” “projects,” “may,” “will,” “intends,” “plans,” or “anticipates,” or by discussions of strategy, plans or intentions. In this news release, forward-looking information relates mainly to the second quarter of 2008 and its bookings trends, backlog levels, estimated turns levels, anticipated revenues, gross margins and average selling prices, stock based compensation expense and similar matters. All forward-looking statements in this news release are based on management's current expectations and estimates, and involve risks, uncertainties and other factors that could cause results to differ materially from those expressed in forward-looking statements. Among these factors are revenues and operating performance, changes in overall economic conditions, the cyclical nature of the semiconductor industry, changes in demand for our products, changes in inventories at our customers and distributors, technological and product development risks, availability of raw materials, competitors' actions, pricing and gross margin pressures, loss of key customers, order cancellations or reduced bookings, changes in manufacturing yields, control of costs and expenses, significant litigation, risks associated with acquisitions and dispositions and the integration efforts related thereto, risks associated with our substantial leverage and restrictive covenants in our debt agreements, risks associated with our international operations, the threat or occurrence of international armed conflict and terrorist activities both in the United States and internationally, risks and costs associated with the regulation of corporate governance and disclosure standards (including pursuant to Section 404 of the Sarbanes-Oxley Act of 2002), and risks involving environmental or other governmental regulation. Additional factors that could affect the company's future operating results are in “Item 1A Risk Factors” of our Form 10-K for the year ended December 31, 2007 and our Form 10-Q for the quarterly period ended March 28, 2008 and other factors as described from time to time in our SEC filings. Readers are cautioned not to place undue reliance on forward-looking statements. We assume no obligation to update such information.

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